Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：

250mV @ 300A, 10mA

电流 - 集电极截止（最大）：

500nA

频率 - 转换：

150MHz, 80MHz

功率 - 最大：

150mW

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：

50V

电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：

47K, 10K

封装/外壳：

S 迷你型 5P

晶体管类型：

1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大）：

100mA

电阻器 - 基极 (R1)（欧）：

47K, 4.7K

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：

80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V

安装类型：

表面贴装

包装：

带卷 (TR)